삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 적층 기술이 적용된 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격적으로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
TSV는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술로 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다. RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module)은 데이터센터 서버용 D램 모듈의 한 종류로 빠른 속도와 높은 신뢰성이 특징이다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 '64기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈' 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어 이번 양산으로 D램의 용량 한계를 돌파했다.
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