10초/모래에서 규소(Si)를 녹여 실리콘 주괴 (Ingot)를 만드는 과정

18초/주괴를 얇게 슬라이스하여 웨이퍼(Wafer)를만듭니다. 웨이퍼는 반도체의 베이스가 됩니다.

31초/웨이퍼에 감광수지를 고르게 바르고UV광을 이용해 설계한 회로를 축소시켜노출시킵니다.

41초/지금 보이는 과정은 실리콘의 도핑 과정입니다.4족 원소인 Si에 이온을 첨가하여 전기적 성질띄게 합니다.

54초/앞서 발랐던 감광수지를 화학물질로 용해시켜 UV인화시킨 회로가 드러나게 합니다. 보통 솔벤트를 용해물질로 사용합니다.

1분14초/ 2차적으로 감광수지를 바르고 이온처리를 한 후절연층을 덧씌웁니다.

1분 25초 /이 과정은 구리-황산용액을 이용한 도금 과정입니다. 보이는 것처럼 황산용액에서 구리를 이용하여 전압을 걸어주면 전기적성질에 의해 이온화하여도금이 됩니다.

1분 45초/도금에서 필요 없는 부분을 깍아내고아키텍처 라고 불리는 회로층을 만듭니다.

2분2초/ 이상이 없을경우 다이(Dies)라 불리는 작은조으로 자릅니다.

2분 10초/ 완성된 다이와 기판 히트스프레더를 합쳐CPU를 조립합니다.

2분 20초/ 완성된 CPU의 각 프로세서별 속도나전압등을 측정하고 포장합니다.